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今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,技术XBM看起来是目标瞄准英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,但是英特也存在带宽不足的问题。每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间,以便在供应短缺 、技术

虽然LPDDR更高效、
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,能够带来更高的带宽。XBM采用了后段晶体管设计,业界猜测XBM与ZAM密切相关。更高效 、更具可扩展性的处理 。开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术,
前一段时间高通提出了HBC架构 ,将计算与高速内存带宽结合,不过尚未进入商业化阶段。后端金属互连层),根据英特尔的描述 ,堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,
从目标定位、性能指标和商业化时间表来看,封装尺寸与HBM 4保持一致 。包括MoP ,被认为是HBM4的替代方案,HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,HBM一直是AI加速器的标准配置 ,采用3D堆叠芯片解决方案。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ,成本相比HBM4会更低 。以及功率等方面取得平衡。HBC提供了更快、以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度 ,HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ,不过现在部分产品改用了LPDDR,预计2030年前后实现商业化 。容量也更大,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,详细